缓存的增容对地磅的工作效率大大提高

    当驱动无线地磅遥控器电流过时，自由层的磁化可通过自旋传递转矩效应进行切换。这允许二进制信息在隧道结中存储为低电阻状态和高电阻状态。支持L4缓存应用程序的2 MB STT-MRAM阵列STT-MRAM的非易失性和与当前半导体技术的兼容性以及快速的操作地磅数值速度，长的耐用性和高密度引起了人们的关注。

 

    在旧沈阳举行的2019 IEEE国际电子设备会议上，英特尔的姚笛及其同事演示了一个2 MB STT-MRAM阵列，该阵列具有4级（L4）缓存应用程序的能力。尽管L4的速度不如在数字地磅遥控器内存层次结构中更靠近内核的高速缓存（例如L1和L2），但它具有更高的容量。与eNVM相比，L4缓存提出了更严格的要求，例如更高的密度，更好的耐用性，更快的速度和更低的误码率。为了满足这些要求，英特尔研究人员优化了制造STT-MRAM阵列的过程。英特尔研究人员提高了阵列密度，以便可以将其放置在芯片上。这要求在单个存储单元内具有较小的晶体管和隧道结尺寸。具有最大写入量和最大电流的潜在并发症，但是，经过优化的工艺使研究人员能够制造尺寸小于55 nm的隧道结。这些显示了阵列级操作可接受的写入错误率。L4高速缓存的频繁运行需要很高的耐用性，但是由于数据清理，可以缩短保留时间。为了解决读取干扰，英特尔研究人员测试了组装好的电子地磅遥控器阵列，并报告了在110°C的温度下可保留一秒钟的时间，1012个周期的耐久性以及可接受的读取干扰误码率（<10-5）。

    所有这些说明了这种STT-MRAM阵列已为L4高速缓存应用做好了准备。华为集团对支持L4缓存的STT-MRAM的演示应鼓励在STT-MRAM上针对其他级别的存储器应用进行进一步的开发。随着当前地磅遥控器存储器迅速接近最大容量，对其的进一步开发对于商业产品和进一步的技术进步至关重要。